1. Los últimos avances en láseres semiconductores
1 Los últimos avances en láseres semiconductores
Desde. la introducción de láseres semiconductores (LD) Desde su desarrollo, su longitud de onda ha
desde la luz visible, infrarroja hasta el infrarrojo lejano, y su estructura proviene de
unión homogénea y se ha desarrollado; en heterounión simple, heterounión doble y trampa cuántica.
(Pozo cuántico único y pozo cuántico múltiple), etc.
Su rendimiento también mejora constantemente y su rendimiento.
Con la mejora continua de la potencia, la potencia de salida de un solo dispositivo ha aumentado de cientos.
MW se ha desarrollado a varios W; LD de alta potencia de matriz lineal y bidimensional.
La potencia de salida ha aumentado de más de diez vatios a varios kilovatios.
Corriente umbral
La densidad se ha reducido por debajo de 100 A/cm2, como se muestra en la Figura 1.
La tendencia decreciente de la densidad de corriente tangencial.
Actualmente, todos los países desarrollados están desarrollando alta potencia y alto poder.
Láseres de pozo cuántico (QWLD) rápidos y de banda ancha, que ya han conseguido un gran éxito.
Desarrollo.
El desarrollo exitoso de QWLD es otro logro en la historia del desarrollo laboral.
Milestone QwLD basado en la tecnología de epitaxia MOCvD
Desarrollo experimentado de láser de material a granel>: QwLD> ordinario debería funcionar
Cambiar y compensar la deformación qwld >: Semiconductor independiente de la polarización láser
Amplificador óptico>: Varias etapas de desarrollo de segmentos de integración de dispositivos fotónicos y optoelectrónicos
.
QWLD de capa tensa es una nueva generación de fuente de luz de banda ancha de alta velocidad.
2. Láser de cristal fotónico
3. Láser de punto cuántico
4. Láser de cascada cuántica
2.
3. Los últimos avances de los láseres de estado sólido bombeados
4 Los últimos avances de los nanoláseres
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