b, La velocidad de deriva promedio lograda por el operador se debe a eventos de dispersión en el semiconductor y al campo eléctrico aplicado. Dos eventos en los semiconductores son la dispersión de la red y la dispersión de impurezas ionizadas.
? La velocidad de deriva promedio es una función lineal para valores pequeños del campo eléctrico, pero la velocidad de deriva alcanza un límite de saturación, que es del orden de 10 centímetros cúbicos/S y 10 voltios cúbicos/cm en el campo eléctrico.
Investigación y desarrollo, la migración de portadores es la relación de velocidad de deriva promedio de un campo eléctrico aplicado. La movilidad de electrones y huecos es función de la temperatura y la concentración de impurezas ionizadas.
e Densidad de corriente de deriva, conductividad y campo eléctrico (en forma de ley de un Ohm). Realización de funciones de transporte y movilidad. La concentración de resistividad es el recíproco de la conductividad.
2, a, El segundo mecanismo de transporte responsable de los semiconductores es la difusión de portadores, que se debe al flujo en gradiente de concentración de los portadores de carga.
b. La densidad de corriente de difusión es proporcional al coeficiente de difusión y al gradiente de concentración del portador.
3, A, es el equilibrio térmico del campo eléctrico inducido en el semiconductor, y la concentración de impurezas está dopada de manera desigual.
En segundo lugar, la difusión y la movilidad están relacionadas con coeficientes a través de la relación de Einstein.
4. A. Generación de energía, el proceso de generación de electrones y huecos, es decir, la recombinación es el proceso de eliminación de electrones y huecos.
En segundo lugar, la generación de energía y la tasa de recombinación se definen como portadoras del equilibrio térmico y del exceso de no equilibrio.
? Se analiza y define la vida útil de los operadores minoritarios excedentes.
5. El efecto Hall es el resultado del movimiento de los portadores en campos eléctricos y magnéticos verticales cargados. La desviación de la carga de los portadores provoca el voltaje Hall. La polaridad del voltaje Hall es función del tipo de conductividad del semiconductor. La concentración y la movilidad del portador mayoritario pueden determinarse mediante el voltaje Hall.