Les ruego que me proporcionen el esquema de reexamen de posgrado de 2011 para microelectrónica integral y electrónica de estado sólido en la Universidad de Tianjin.

Nombre del tema: Microelectrónica integral y electrónica de estado sólido

Parte 1: Descripción general del reexamen de circuitos integrados de semiconductores (como referencia para los candidatos que toman el reexamen de microelectrónica)

1. Requisitos generales para el examen

"Circuitos integrados de semiconductores" es el curso principal de la especialización en tecnología microelectrónica. Este programa de estudios incluye "Principios de los transistores" y "Circuitos integrados de semiconductores". El propósito es examinar las teorías básicas, los conocimientos, las habilidades y la capacidad de los candidatos para analizar y resolver problemas.

2. Contenido y proporciones del examen

(1) Principios de los transistores (30)

Unión 1 pn

Formación de (1) ) PN Diferencia de potencial de contacto VBJ;

(2) Ecuaciones de corriente-voltaje de diodo ideales y reales, y la ley de eliminación del desequilibrio que cambia la corriente con el voltaje.

(3)Mecanismo de rotura de la unión PN.

2. Características CC de los transistores bipolares

(1) Transferencia de corriente en los transistores

(2) Ganancia de corriente del transistor

3. Características de frecuencia del transistor y características transitorias

(1) Análisis teórico de las características de CA del transistor

Comprender el significado de los modelos y parámetros híbridos.

(2)***Coeficiente de amplificación de corriente de cortocircuito del emisor y su frecuencia de corte

(3)Tiempo de conmutación del transistor

4. semiconductor Transistor de efecto de campo

(1) Los principios básicos de funcionamiento y los tipos de transistores de efecto de campo MOS.

(1) La definición y expresión del voltaje umbral MOSFET y la influencia de VBS

(2) Las características voltamperaje de MOSFET

Poder explicar la curva característica de salida, comprender el proceso de solución y el alcance de aplicación de la ecuación de Sazhitang; comprender el mecanismo de descomposición de MOSFET;

(3) La definición y el impacto del efecto de canal corto.

(2) Circuitos integrados semiconductores (70)

1. Transistores en circuitos integrados y sus efectos parásitos

(1) Ventajas de los transistores bipolares integrados Fuente parásita

(2) Transistores PNP en circuitos integrados

(3) Diodos de barrera Schottky y transistores de abrazadera Schottky

2. Circuito lógico transistor-transistor (TTL)

(1)Puerta TTL NAND,

(2)Pista STTL

3. Principio de funcionamiento del circuito de lógica acoplada al emisor (ECL).

4. Inversor MOS y su unidad lógica básica

(1)Inversor 7.2 E/D

(2)Inversor 7.3 CMOS

(3)7.5 inversor dinámico

(4)8.1 Estructura lógica NMOS

(5)8.2 Estructura lógica CMOS

(6)8.4 Factores que afectan la y diseño de la estructura física de la puerta

(7)8.6 Lógica de puerta de transmisión

(8)9.4 Registro

5. Simulación de unidades básicas en circuitos integrados

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(1)12.1.2 Amplificador de transistor MOS

(2)12.2 Circuito fuente de corriente constante

(3)12.3 Fuente de voltaje de polarización y circuito fuente de voltaje de referencia

6. Amplificador operacional integrado

(1)13.1 Etapa de entrada del amplificador operacional

(2)13.2 Salida del circuito de nivel del amplificador operacional

(3)13.3.1 Amplificador operacional integrado de uso general 741.

(4)13.4.4 Amplificador operacional integrado CMOS

En tercer lugar, los tipos y proporciones de los exámenes

1, respuesta corta: 30

2. Artículos: 45

3. Preguntas de cálculo y síntesis: 20

4. Preguntas de diseño: 5

Referencia principal de verbos (abreviatura de verbo) Información

1. "Conceptos básicos de la tecnología microelectrónica: principios de los transistores bipolares y de efecto de campo", Cao, editor en jefe, Electronic Industry Press o "Principios de los transistores", Zhang Pingying, Zhou, Editor en jefe, Prensa de Ciencia y Tecnología de Shanghai.