En las décadas de 1970 y 1980 se produjeron importantes avances en la preparación y aplicación del carburo de silicio. En 1978, el científico soviético Tairov y otros mejoraron el método de Riley y obtuvieron cristales de carburo de silicio más grandes. En 1979, apareció el primer diodo emisor de luz de carburo de silicio; en 1981, Matsunami inventó un método para cultivar monocristales de carburo de silicio sobre un sustrato de silicio; en 1991, la empresa estadounidense Cree utilizó el método de sublimación para cultivar obleas de carburo de silicio y se dio cuenta; industrialización. El carburo de silicio se descubrió por primera vez en 1891. El estadounidense Acheson descubrió un compuesto de carbono mientras electrolizaba el diamante. Esta fue la primera síntesis y descubrimiento del carburo de silicio. Después de más de 100 años de exploración, especialmente después de entrar en el siglo XIX, la humanidad finalmente aclaró las ventajas y características del carburo de silicio y utilizó sus características para fabricar varios dispositivos nuevos. La industria del carburo de silicio se desarrolló rápidamente.
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