1955-1956, Compañía Sylvinia, ingeniero superior.
1957-1960, Instituto de Física, Academia de Ciencias de China, investigador.
1960-, Investigador, Instituto de Semiconductores, Academia China de Ciencias. 1980-, Vicepresidente de la Asociación China para la Ciencia y la Tecnología.
1978-1985, Presidente de la Asociación de la Industria de Materiales Electrónicos de China.
1986-, Miembro de la Fundación Nacional de Ciencias Naturales de China.
Ámbitos profesionales: Materiales semiconductores, física de materiales semiconductores 1959-1964, crecimiento cristalino de silicio de Czochralski y silicio fundido zonal, presidido.
1977-1980, Crecimiento de materiales epitaxiales VPE y LPE GaAs de alta pureza, a cargo.
1985-1990, Crecimiento de cristales de GaAs de silicio LCS, a cargo.
1987-1994, el crecimiento y las propiedades de los materiales espaciales de GaAs, presidió la investigación sobre DRAM de silicio 4K y 16K y mejoró el rendimiento en 1981, el primer premio de la Academia China de Ciencias de Ciencia y Progreso Tecnológico. Otorgar.
1982, Crecimiento y propiedades del LPE GaAs de alta pureza, Journal of Crystal Growth,
1989, Preparación y propiedades del GaAs espacial, Ciencia de materiales seleccionados,
1993, Artículos seleccionados de Lin Lanying, Fujian Science and Technology Press,
198905, Crecimiento y propiedades del GaAs en el espacio, Academia China de Ciencias, Primer Premio al Progreso Científico y Tecnológico.
198605, Investigación sobre mejora de la calidad de materiales GaAs, Segundo Premio al Progreso Científico y Tecnológico de la Comisión Nacional de Ciencia y Tecnología.