Currículum de Lin Lanying.

1944-1948, Universidad Cristiana de Fujian, profesor.

1955-1956, Compañía Sylvinia, ingeniero superior.

1957-1960, Instituto de Física, Academia de Ciencias de China, investigador.

1960-, Investigador, Instituto de Semiconductores, Academia China de Ciencias. 1980-, Vicepresidente de la Asociación China para la Ciencia y la Tecnología.

1978-1985, Presidente de la Asociación de la Industria de Materiales Electrónicos de China.

1986-, Miembro de la Fundación Nacional de Ciencias Naturales de China.

Ámbitos profesionales: Materiales semiconductores, física de materiales semiconductores 1959-1964, crecimiento cristalino de silicio de Czochralski y silicio fundido zonal, presidido.

1977-1980, Crecimiento de materiales epitaxiales VPE y LPE GaAs de alta pureza, a cargo.

1985-1990, Crecimiento de cristales de GaAs de silicio LCS, a cargo.

1987-1994, el crecimiento y las propiedades de los materiales espaciales de GaAs, presidió la investigación sobre DRAM de silicio 4K y 16K y mejoró el rendimiento en 1981, el primer premio de la Academia China de Ciencias de Ciencia y Progreso Tecnológico. Otorgar.

1982, Crecimiento y propiedades del LPE GaAs de alta pureza, Journal of Crystal Growth,

1989, Preparación y propiedades del GaAs espacial, Ciencia de materiales seleccionados,

1993, Artículos seleccionados de Lin Lanying, Fujian Science and Technology Press,

198905, Crecimiento y propiedades del GaAs en el espacio, Academia China de Ciencias, Primer Premio al Progreso Científico y Tecnológico.

198605, Investigación sobre mejora de la calidad de materiales GaAs, Segundo Premio al Progreso Científico y Tecnológico de la Comisión Nacional de Ciencia y Tecnología.