Estas emisiones parecen/podrían ser una combinación de picos superpuestos (Figura 4(b), flecha).
Se observan pequeños cambios de intensidad (líneas discontinuas) durante el calentamiento, lo que significa que la emisión se ve ligeramente afectada por la temperatura (Fig. 4(b)).
Al calentar, se nota un pequeño cambio de intensidad (línea discontinua), lo que significa que la radiación se ve muy poco afectada por la temperatura (Figura 4(b)).
A temperaturas más altas (293 673 K), la intensidad de la luminiscencia disminuye ligeramente, pero no hay un cambio evidente en la longitud de onda.
A temperaturas más altas (293 673 K), la intensidad luminosa disminuye ligeramente y el cambio de longitud de onda no es evidente.
Recientemente, se informó que los nanocables amorfos de SiOx preparados mediante ablación láser de objetivos de Si-SiO2-Fe emiten luz azul a 420 y 470 nm [9], lo cual es consistente con nuestros resultados (Figura 4(b ) )), la diferencia de 10 nm (420-430 nm) puede deberse a la presencia de Fe.
Recientemente, se ha informado que los nanocables de óxido de silicio amorfo (SiOx) generados por ablación láser de objetos Si-SiO_2-Fe emiten luz azul a 420 y 470 nm [9], lo que concuerda con nuestros resultados. Consistentemente (Figura 4 (b)), la diferencia de 10 nm (420 430 nm) puede deberse a la presencia de hierro (Fe).
Sin embargo, tenga en cuenta que la señal también puede surgir de defectos intrínsecos de la sílice que están estabilizados por impurezas adyacentes.
Sin embargo, es importante tener en cuenta que esta señal también puede ser causada por defectos inherentes en el SiO2 que se estabilizan por impurezas cercanas.
Figura 3: El calor se disipa a lo largo de los ejes a y c durante el crecimiento de los nanocables (a), dejando un espacio ideal para la difusión del calor durante el crecimiento de una gran cantidad de nanocables (b).
Figura 3 - Disipación de calor a lo largo del eje A y del eje C durante el proceso de generación de nanocables (A), dejando un espacio ideal de difusión de calor durante el proceso de generación de nanocables (b).