El nitruro de galio no es un material metálico. Es una sustancia inorgánica con la fórmula química GaN, que es un compuesto de nitrógeno y galio. También es un material semiconductor compuesto artificial y se ha utilizado comúnmente en diodos emisores de luz desde 1990. Tiene una excelente movilidad de electrones y velocidad de deriva de saturación de electrones, y funciona bien en dispositivos electrónicos de radiofrecuencia y microondas, como amplificadores de potencia de radiofrecuencia en sistemas de comunicación 5G. Por tanto, el nitruro de galio tiene importantes aplicaciones en la tecnología de semiconductores y la industria electrónica. El nitruro de galio tiene una excelente movilidad de electrones y velocidad de deriva de saturación de electrones, lo que le permite tener un rendimiento excelente en dispositivos electrónicos de radiofrecuencia y microondas, como amplificadores de potencia de radiofrecuencia en sistemas de comunicación 5G. Isamu Akasaki, profesor de la Universidad de Nagoya y la Universidad de Meijo en Japón, Hiroshi Amano, profesor de la Universidad de Nagoya, y Osamu Nakamura, profesor de la Universidad de California en Santa Bárbara, recibieron el Premio 2014 por su trabajo sobre GaN y sólidos. -Estado de iluminación y almacenamiento de datos. Premio Nobel de Física.