La deposición química de vapor es una tecnología química que utiliza principalmente uno o varios compuestos o elementos en fase gaseosa que contienen elementos de película delgada para reaccionar químicamente en la superficie de un sustrato y generar una película delgada. La deposición química de vapor es una nueva tecnología desarrollada en las últimas décadas para la preparación de materiales inorgánicos. La deposición química de vapor se ha utilizado ampliamente para purificar sustancias, desarrollar nuevos cristales y depositar diversos materiales de película fina inorgánica monocristalina, policristalina o vítrea. Estos materiales pueden ser óxidos, sulfuros, nitruros, carburos o compuestos interelementos binarios o de múltiples elementos en los grupos III-V, II-IV, IV-VI, y sus funciones físicas pueden pasar a través del proceso de deposición dopada. está controlado con precisión.
Principio
La tecnología de deposición química de vapor es un proceso que utiliza sustancias gaseosas para realizar reacciones químicas en sólidos y producir depósitos sólidos. Consta aproximadamente de tres pasos:
< p. >(1) Formar sustancias volátiles;(2) Transferir las sustancias anteriores al área de deposición;
(3) Producir reacciones químicas en sólidos y producir sustancias sólidas.
Las reacciones químicas de deposición de vapor más básicas incluyen reacciones de descomposición térmica, reacciones de síntesis química y reacciones de transporte químico. [1]
Características
1) A temperaturas medias o altas, las sustancias sólidas se depositan sobre el sustrato mediante reacciones químicas en fase gaseosa entre compuestos iniciales gaseosos.
2) La deposición se puede llevar a cabo en condiciones normales de presión o vacío (presión negativa, normalmente la calidad de la película de deposición al vacío es mejor).
3) Se puede utilizar tecnología asistida por plasma y láser. utilizado Promueve significativamente las reacciones químicas para que la deposición se pueda realizar a temperaturas más bajas.
4) La composición química del recubrimiento puede cambiar con el cambio de la composición de la fase gaseosa, obteniendo así un depósito en gradiente o un recubrimiento mixto.
5) La densidad y pureza del recubrimiento se pueden controlar.
6) Es adecuado para recubrimiento sobre sustratos de formas complejas y materiales granulares. Debido a su buen rendimiento de recubrimiento, se pueden recubrir piezas de trabajo con ranuras, ranuras, agujeros e incluso agujeros ciegos.
7) La capa depositada suele tener una estructura cristalina columnar, no resistente a la flexión. La reacción química se puede perturbar en la fase gaseosa mediante diversas técnicas para mejorar su estructura.
8) Se pueden formar una variedad de metales, aleaciones, cerámicas y recubrimientos compuestos.