La pequeña banda de valencia de la Figura 8(a) permite una transferencia suave de orificios a través de la matriz nanoestructurada de la segunda fase dispuesta en forma de anillo, al mismo tiempo que disipa el sonido portador de calor en la matriz/nanoestructura. hijo. La Figura 8 (b) es un diagrama de bandas de energía relativa de la matriz nanoestructurada unida, que muestra la pequeña diferencia de energía en la banda prohibida del semiconductor y la pequeña diferencia de energía en el borde de la banda de valencia, de.
Figura 9(a) Dependencia de la temperatura de la movilidad del portador y la conductividad térmica de la red de PbTe-SrTe dopado con 1N2Te. SrTe nanoestructurado extendido con una pequeña banda de valencia permite una transferencia perfecta de orificios al tiempo que bloquea los fonones portadores de calor en la interfaz entre la matriz y la nanoestructura. La Figura 9 (b) es un diagrama esquemático de la disposición energética de la banda de valencia (VB) y la banda de conducción (CB) del precipitado de SrTe en la matriz de PbTe.
¿Figura 12 en 923? Relación funcional entre la diferencia de energía máxima de la banda de valencia entre el sulfuro metálico y el PbS y la movilidad inferior del agujero. El deterioro significativo en la minimización de la movilidad de los agujeros a altas temperaturas indica que la banda de energía entre PbS y CdS disminuye con el aumento de la temperatura debido al ensanchamiento tropical.