La diferencia entre acceso aleatorio y acceso aleatorio:
1. Énfasis diferente:
Acceso aleatorio: aleatorio se refiere al tiempo de acceso y la unidad de almacenamiento La ubicación física es irrelevante.
Acceso aleatorio: se centra en el acceso, entendido generalmente como operaciones de lectura.
2. Diferentes métodos de acceso:
Acceso aleatorio: El acceso se refiere a operaciones de lectura y escritura en las memorias principales como la RAM en las computadoras.
Acceso aleatorio: para operaciones de lectura, dado que la ROM es una memoria de solo lectura, se puede acceder a ella de forma aleatoria como la RAM, pero no se puede acceder a ella de forma aleatoria.
Datos extendidos:
La estructura básica de la memoria de acceso aleatorio
La estructura básica de la memoria de acceso aleatorio (RAM) se puede dividir en tres partes: matriz de almacenamiento , El decodificador de direcciones y el circuito de lectura y escritura se presentan de la siguiente manera:
1. Matriz de almacenamiento: la matriz de almacenamiento se utiliza para almacenar los códigos que se almacenarán. Numerados con un código binario para facilitar la consulta de la unidad. Este código binario se llama dirección.
2. Decodificador de dirección: El decodificador puede traducir la dirección de entrada en una señal de nivel para seleccionar la unidad en la matriz donde se almacena la respuesta. Los modos de direccionamiento se dividen en direccionamiento unario y direccionamiento binario. El direccionamiento unario también se denomina decodificación unidireccional o decodificación de palabras. Su línea de decodificación de salida es la línea de selección de palabras, que se utiliza para seleccionar todas las unidades de la palabra a la que se accede.
El direccionamiento binario, también llamado decodificación bidireccional, puede acceder a cada unidad. La línea de decodificación emitida por el decodificador de dirección X se utiliza como una línea de selección de fila para la "selección de fila"; Se utiliza el decodificador. Las líneas de selección de columnas actúan sobre la selección de columnas, por lo que las celdas seleccionadas por las líneas de selección de filas y columnas son las celdas a las que se accede, en las que se puede escribir o leer.
3. Circuito de lectura y escritura: el circuito de lectura y escritura es la parte de control de la RAM, que incluye el CS de selección de chip, el control de lectura y escritura R/W y el amplificador de detección de entrada de datos. La función del CS de selección de chip es leer y escribir RAM solo cuando el terminal está bajo, y la función del control de lectura y escritura R/W es leer RAM cuando el terminal está alto. Escriba cuando el terminal R/W esté en nivel bajo.
El circuito de la etapa de salida generalmente adopta una salida de tres estados o una estructura de salida de colector abierto para ampliar la capacidad de almacenamiento. Si se trata de una salida de colector abierto (salida OC), se debe conectar una resistencia de carga externa.
Enciclopedia Baidu-Acceso aleatorio