1. Temperatura: la oxidación de las obleas de silicio generalmente debe realizarse en condiciones de alta temperatura para promover la reacción de oxidación. Los rangos de temperatura de oxidación comunes están entre 800°C y 1200°C. La temperatura de oxidación específica se ajustará según el espesor y los requisitos de calidad de la capa de óxido requerida.
2. Atmósfera: Durante el proceso de oxidación de las obleas de silicio, es necesario seleccionar una atmósfera adecuada para proporcionar suministro de oxígeno. Las atmósferas oxidantes más utilizadas son la atmósfera húmeda de oxígeno (Wet Oxygen) o la atmósfera de oxígeno (Dry Oxygen). Una atmósfera húmeda de oxígeno significa que el oxígeno contiene vapor de agua, lo que ayuda a que se desarrolle la reacción de oxidación. La atmósfera de oxígeno se refiere a un suministro de oxígeno puro.
3. Tiempo de oxidación: El tiempo de oxidación depende del espesor de capa de óxido requerido y de la temperatura de oxidación utilizada. Normalmente, las obleas de silicio se colocan en un horno de oxidación durante un período de tiempo para garantizar que se logre el espesor de capa de óxido requerido.
4. Equipos de oxidación: La oxidación de las obleas de silicio se suele realizar en un horno de oxidación. El horno de oxidación proporciona la temperatura y la atmósfera necesarias para promover la reacción de oxidación de la oblea de silicio. Los hornos de oxidación pueden ser diferentes tipos de equipos, como hornos de tubo horizontal, hornos verticales u hornos de artesa.
Oblea de silicio monocristalino/oblea de sílice pirógena