Del 6 al 8 de diciembre de 2021, se llevarán a cabo el 7.º Foro Internacional de Semiconductores de Tercera Generación y el 18.º Foro Internacional de Iluminación de Semiconductores de China (IFWS&SSLCHINA2021) con el tema "Creación de un futuro de carbono ecológico". celebrada en Shénzhen.
El foro de este año cuenta con más de cien expertos del comité del programa para brindar apoyo intelectual. Se centrará completamente en tecnologías de vanguardia y puntos importantes de la industria, e invitará a reconocidos expertos nacionales y extranjeros, empresas líderes. y representantes de la élite de la industria participarán en profundidad para evaluar las oportunidades comerciales de la industria. ***Promover el desarrollo sano y ordenado de la industria.
En la actualidad, los materiales y dispositivos semiconductores internacionales de tercera generación han logrado un salto exitoso desde la investigación y el desarrollo a la producción en masa a gran escala y han entrado en una etapa de rápido desarrollo de industrialización en vehículos de nueva energía. transporte ferroviario de alta velocidad y 5G Se han logrado avances en las aplicaciones en muchas áreas clave, como las comunicaciones, la conexión a la red fotovoltaica y la electrónica de consumo.
Los próximos cinco años serán un período crítico para el desarrollo de la industria de semiconductores de tercera generación. El capital global se está acelerando en el campo de los materiales y dispositivos semiconductores de tercera generación, la capacidad de producción ha mejorado enormemente. y las fusiones y adquisiciones corporativas son frecuentes. Estamos justo antes de que la industria explote. 5G, IA, Internet de las cosas, big data y otros mercados se están acelerando. Con la llegada de los vehículos de nueva energía, la carga rápida PD, el 5G y las nuevas eras de pantallas, la demanda de semiconductores de tercera generación en el mercado de aplicaciones ha comenzado a mostrar un aumento. tendencia de crecimiento sin precedentes.
Según el comité organizador del foro, ante las oportunidades históricas creadas por la nueva ronda de revolución científica y tecnológica y transformación industrial, este foro invitó especialmente al profesor Luo Yi, académico de la Academia China de Ingeniería. y el Departamento de Ingeniería Electrónica de la Universidad de Tsinghua, Academia de Ciencias de China, el profesor Jiang Fengyi, académico, vicepresidente de la Universidad de Nanchang y copresidente del comité del programa del foro Tang Guangfu, académico de la Academia de Ingeniería de China y director de Energía Global; el Instituto de Investigación de Internet, el Profesor Zhang Rong, presidente de la Universidad de Xiamen y presidente del comité del programa del foro; el Premio Nobel de Física de la Universidad de California, EE.UU. Shuji Nakamura, profesor del Departamento de Materiales de la Universidad de Santa Bárbara, Carl-Mikael. Zetterling, profesor del Real Instituto de Tecnología de Suecia, Georges Andary, director general de Bosch Suzhou Automotive Components y presidente de Bosch Automotive Electronics China, Instituto de Investigación de Dispositivos de Sensores y Pantallas del Grupo Tecnológico BOE, Decano y Científico Jefe de Tecnología de Semiconductores, Yuan Guangcai y Otros expertos representativos del campo de los semiconductores de tercera generación hablaron con colegas de la industria sobre el desarrollo y las oportunidades de los semiconductores de tercera generación.
Además de la conferencia de apertura, este foro también incluye el Foro de aplicaciones y dispositivos electrónicos de potencia, el Foro de aplicaciones y dispositivos electrónicos de radiofrecuencia, el Foro de aplicaciones e iluminación de semiconductores, el Mini/Micro-LED y otros nuevos foros de visualización y el Foro Beyond Lighting, el Foro de materiales y equipos, el Foro de aplicaciones y dispositivos UV de estado sólido, la Cumbre de cooperación en innovación de semiconductores automotrices, el Foro de desarrollo de la integración entre la industria y la educación de semiconductores de tercera generación, el Seminario de pruebas y estándares de electrónica de potencia, etc. Más de 30 actividades del foro. Centrarse en el progreso de vanguardia nacional y extranjero de la tecnología electrónica de potencia de semiconductores, la tecnología optoelectrónica y la tecnología electrónica de radiofrecuencia de tercera generación; las estrategias de desarrollo industrial y las oportunidades de la tecnología electrónica de potencia de semiconductores, la tecnología optoelectrónica y la electrónica de radiofrecuencia; tecnología relacionada con materiales semiconductores de tercera generación y promoción mutua y profunda integración de la tecnología de la información de nueva generación, vehículos de nueva energía, suministro de energía general de nueva generación, equipos de alta gama y otras industrias; investigación, etc.
El Foro Internacional de Semiconductores de Tercera Generación y el Foro Internacional de Iluminación de Semiconductores de China se llevan a cabo al mismo tiempo y en el mismo lugar. Unen fuerzas en el mismo escenario y se complementan, mirando al futuro más amplio de. LED+ y materiales electrónicos avanzados.
El foro mantiene una cooperación a largo plazo con IEEE. Los trabajos aceptados enviados serán seleccionados y publicados en la biblioteca electrónica IEEE Xplore. IEEE es una base de datos cooperativa del sistema de recuperación EI. Actualmente, el foro ha comenzado a recopilar artículos para el mismo período y tiene una cooperación a largo plazo con IEEE. Los trabajos aceptados enviados serán seleccionados y publicados en la biblioteca electrónica IEEE Xplore. IEEE es una base de datos cooperativa del sistema de recuperación EI.
La Exposición de Innovación de Aplicaciones de Tecnología de Semiconductores Avanzados de 2021 (CASTAS 2021) también está abierta al mismo tiempo. Los expertos de la industria pueden participar, conectar recursos, negociar oportunidades comerciales y discutir planes de desarrollo de la industria.