En el apéndice de "Física de dispositivos semiconductores" de la Universidad de Jilin, las constantes dieléctricas son arseniuro de galio 13,1, silicio 11,8 y germanio 16,0. La movilidad del arseniuro de galio es 8500 y 400, la del silicio es 1350 y 480 y la del germanio es 3900 y 1900. Cuanto mayor es la movilidad de los electrones, cuanto menor es la masa efectiva de los electrones, más delgados corren más rápido←. _←