1947: Bell Labs Shortley y otros inventaron el transistor, que fue el primer hito en el desarrollo de la tecnología microelectrónica.
1950: unión; Nació el transistor tipo; 1950: R Ohl y Shortley inventaron el proceso de implantación de iones; 1951: se inventó el transistor de efecto de campo; 1956: C.S. Fuller inventó el proceso de difusión; 1958: Robert Noyce de Fairchild y Kilby de TI inventaron el circuito integrado; meses, creando la historia de la microelectrónica mundial. 1960: H.H. Lohr y E. Castellani inventaron el proceso de litografía; 1962: la American RCA Company desarrolló transistores de efecto de campo MOS; 1963: F.M. Wanlass y C.T. Sah propusieron por primera vez la tecnología CMOS. Hoy en día, más del 95% de los chips de circuitos integrados se basan en tecnología CMOS. 1964: Intel Moore propuso la Ley de Moore, prediciendo que la integración de transistores se duplicará cada 18 meses. 1966: La compañía estadounidense RCA desarrolló circuitos integrados CMOS y desarrolló la primera matriz de puertas (50 puertas). 1967: Se fundó Applied Materials, y ahora lo ha hecho; convertirse en la empresa de fabricación de equipos semiconductores más grande del mundo; 1971: Intel lanzó la memoria dinámica de acceso aleatorio (DRAM) de 1 kb, lo que marcó el surgimiento de los circuitos integrados a gran escala. 1971: Intel lanzó el primer microprocesador 4004 del mundo. un invento histórico 1974: RCA lanzó el primer microprocesador CMOS 1976: apareció la DRAM de 16 kb y la SRAM de 4 kb 1978: nació la DRAM de 64 kb, con 140.000 transistores integrados en menos de 0,5 centímetros cuadrados sobre obleas de silicio; era VLSI; 1979: Intel lanzó el microprocesador 8088 de 5 MHz, y luego IBM lanzó la primera PC basada en 8088 del mundo. 1981: aparecieron DRAM de 256 kb y SRAM CMOS de 64 kb; 1985: sale el microprocesador 80386, 20MHz; 1988: sale el 16M DRAM, 35 millones de transistores se integran en una oblea de silicio de 1 cm 2, marcando la entrada en la etapa VLSI 1989: 1Mb DRAM entra al mercado; 1989: se lanza el microprocesador 486 con 25MHz; , proceso de 1 μm, y luego el chip de 50 MHz adoptó el proceso de 0,8 μm; 1992: apareció la memoria de acceso aleatorio de 64 Mbits; 1993: se lanzó el procesador Pentium de 66 MHz, utilizando un proceso de 0,6 μm; proceso; circuito integrado
1997: salió el Pentium II de 300 MHz, usando un proceso de 0,25 μm; 1999: salió el Pentium III a 450 MHz, usando un proceso de 0,25 μm, seguido por un proceso de 0,18 μm; en el mercado 2000: sale el Pentium 4, 1,5 GHz, utilizando un proceso de 0,18 μm 2001: Intel anuncia que utilizará un proceso de 0,13 μm en la segunda mitad de 2001; 2003: Se lanza la serie Pentium 4 E, utilizando un proceso de 90 nm. 2005: Se lanza la serie Intel Core 2, utilizando un proceso de 65 nm. 2007: Se lanza Intel Core 2 E7/E8/E9 basado en el nuevo proceso High-K de 45 nm. 2009: Se lanza recientemente la serie Intel Core I, utilizando el proceso récord de 32 nm, y se está desarrollando el proceso de 22 nm de próxima generación.
Historia del desarrollo de los circuitos integrados de China
La industria de circuitos integrados de China nació en la década de 1960. El objetivo es desarrollar circuitos lógicos como producto principal y establecer inicialmente el circuito integrado. Fundación de la industria y condiciones de apoyo para equipos, instrumentos y materiales relacionados. 1978-1990: importar principalmente equipos de segunda mano de los Estados Unidos para mejorar el nivel de equipos de circuitos integrados y, al mismo tiempo, centrarse en la integración del consumo. de equipos de soporte, que resolvieron mejor el problema de localización de circuitos integrados de televisión en color 1990-2000: Centrándonos en el Proyecto 908 y el Proyecto 909, utilizando CAD como punto de avance, nos centramos en la investigación científica y tecnológica y en la construcción de I+D del norte; bases para servir a la industria de la información e integrar La industria de los circuitos ha logrado nuevos avances.