Experiencia de estudio:
Estudio de doctorado con el profesor Luo Jinsheng de la Universidad Xi'an Jiaotong de 1994.9 a 1998.6. El campo de investigación son los nuevos dispositivos semiconductores y el título de la tesis doctoral es "Investigación sobre materiales y dispositivos de carburo de silicio".
Estudiando una maestría en la Universidad de Ciencia y Tecnología Electrónica de Xi'an desde agosto de 1989 hasta marzo de 1992. El supervisor es el profesor Yao Lizhen y su tesis de maestría es "Análisis térmico de microensamblajes asistido por computadora". Al mismo tiempo, participó en trabajos de investigación de proyectos como "Investigación y Desarrollo de Generadores de Dispositivos Semiconductores", "Diseño de Símbolos y Compresión de Diseño de IC" y "Análisis de Simulación de Circuitos de Control de Temperatura".
Estudió la licenciatura en la Universidad de Tsinghua desde septiembre de 1984 hasta julio de 1989, con especialización en microelectrónica. Mientras estaba en la escuela, trabajé en el grupo de investigación del profesor Zhang Jianren, desarrollando circuitos de silbatos de llavero y circuitos de relojes electrónicos, y participé en la construcción de una nueva sala limpia de línea en el Instituto de Microelectrónica. El tema del proyecto de graduación es el análisis y aplicación del software de diseño VLSI Electric, y el instructor es el profesor Yang Zhilian.
Experiencia laboral:
1992.4——Dedicado a la docencia y la investigación científica en la Universidad de Ciencia y Tecnología Electrónica de Xi'an. Fue ascendido a profesor en 1994 y profesor asociado en 1998. Fue ascendido a profesor en 2001 y nombrado supervisor de doctorado en 2002.
Trabajó como becario postdoctoral en la Universidad Estatal de Rutgers-Nueva Jersey en Estados Unidos desde agosto de 1999 hasta septiembre de 2000. Bajo la dirección del Profesor Zhao, Director del Laboratorio de Carburo de Silicio del Departamento de Ingeniería Electrónica, Se dedicó a los siguientes trabajos de investigación científica:
1. Diseño y fabricación de dispositivos avanzados de potencia de carburo de silicio para vehículos eléctricos.
2. Estudiar las características del carburo de silicio semiaislante dopado con vanadio.