Una sustancia amorfa es una sustancia que no presenta una estructura cristalina claramente ordenada.
En 1968, descubrió que la resistividad de algunos vidrios cambia de forma reversible durante la transición de fase.
En 1969, descubrió que la reflectividad de la luz láser cambia en los medios de almacenamiento óptico.
En 1970, él y su esposa, la Dra. Iris Ovshinsky, cofundaron una empresa de dispositivos de conversión de energía (ECD) y publicaron los resultados de su colaboración con Gordon Moore de Intel Corporation.
Este artículo publicado en la revista Electronics el 28 de septiembre de 1970, describe la primera memoria semiconductora de cambio de fase de 256 bits del mundo.
Casi 30 años después, Energy Conversion Devices (ECD) ha formado una nueva filial, Ovonyx, con el ex vicepresidente de Micron Technology, Tyler Lowery.
En febrero de 2000, Intel y Ovonyx emitieron un acuerdo de cooperación y licencia, que fue el comienzo de la investigación y el desarrollo de PCM modernos.
Desde junio de 5438 hasta febrero de 2000, STMicroelectronics (ST) también comenzó a cooperar con Ovonyx.
Para 2003, las tres empresas mencionadas concentrarán sus esfuerzos para evitar la duplicación de la I+D básica y competitiva y la duplicación de la investigación en áreas ampliadas para acelerar el progreso de esta tecnología.
En 2005, ST e Intel anunciaron su intención de establecer una nueva empresa de memorias flash llamada Numonyx.
En los años posteriores a la introducción del primer producto en 1970, la tecnología de fabricación de semiconductores ha logrado grandes avances, promoviendo el desarrollo de la memoria de cambio de fase de semiconductores.
Mientras tanto, los materiales de cambio de fase se están volviendo más sofisticados para hacer frente al uso generalizado de CD y DVD regrabables.
La memoria de cambio de fase desarrollada por Intel utiliza calcogenuros, que contienen elementos oxígeno/azufre de la tabla periódica de elementos.
La memoria de cambio de fase de Numonyx utiliza un material sintético que contiene germanio, antimonio y telurio (Ge2Sb2Te5), que se conoce comúnmente como GST.
La mayoría de las empresas utilizan ahora GST o materiales sintéticos similares cuando desarrollan memorias de cambio de fase.
La mayoría de DVD-RAM utilizan los mismos materiales que la memoria de cambio de fase Numonyx.
El 31 de agosto de 2011, China completó el primer lote de chips de productos basados en memoria de cambio de fase.
En 2015, la revista "Nature Photonics" publicó la primera memoria de cambio de fase del mundo que puede almacenar datos durante mucho tiempo y se basa completamente en la luz.