Los parámetros específicos de la caída de voltaje del tubo del diodo de chip: la caída de voltaje del tubo directo del diodo de silicio (tipo no luminoso) es de 0,7 V, y la caída de voltaje del tubo directo del tubo de germanio es 0,3 V.
Es un dispositivo electrónico con conducción de corriente unidireccional. Hay una unión PN con dos terminales de cable dentro del diodo semiconductor. Este dispositivo electrónico tiene transducción de corriente unidireccional según la dirección del voltaje aplicado. En términos generales, el diodo de cristal en chip es un dispositivo compuesto por semiconductor tipo p y n. -semiconductor tipo.interfaz de unión p-n formada por sinterización de tipo semiconductor. A ambos lados de su interfaz se forma una capa de carga espacial, formando un campo eléctrico autoconstruido. Cuando el voltaje aplicado es igual a cero, la corriente de difusión causada por la diferencia de concentración de los portadores en ambos lados de la unión p-n es igual a la corriente de deriva causada por el campo eléctrico autoconstruido y está en un estado de equilibrio eléctrico. también la característica normal del diodo.